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STS 2103B 半导体分立器件测试系统 |
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适用于三极管、二极管、MOS场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可 |
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控硅等各种大、中、小功率半导体分立器件的直流参数测试。 |
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测试原理符合相应的国家标准、国家军用标准和行业标准。 |
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系统具有±10V，±40A的低电压参数测试范围和500V，40mA的高电压参数测试范围。 |
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采用脉冲法参数测试，功率参数的测试脉宽为 300us（占空比2%），符合国军标的规定并有效抑制测试温升。 |
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全线路采用四线开尔文测试原理，完全扣除接触电阻和接触压降，使大电流参数测试更加精确。 |
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独特的硬件闭环HFE参数测试线路，使HFE数值更加精确，测试适应性更好。 |
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系统提供TO-220、TO-3、TO-39等多种标准封装形式的测试适配器。 |
半导体分立器件是半导体器件中的重要组成部分，在高电压、大电流、高功率和高频等领域中起着集成电路无法替代的作用，
但同时也给半导体分立器件的参数测试带来了一定的技术难度。
北京华峰测控技术有限公司自主研制的STS 2103B 半导体分立器件测试系统，是STS 2100系列电子元器件测试系统中的重要
组成部分，适用于三极管、二极管、MOS场效应管、结型场效应管、光电耦合器、可控硅等各种大、中、小功率半导体分立器件的
直流参数测试。系统较好地解决了半导体分立器件测试技术上的难点。
系统采用数字、模拟两次程控稳压，具有过压、过流保护功能的高压源系统，有效提高了高压参数的测试安全性。系统采用全 线路四线开尔文测试原理，可完全扣除系统各环节的接触电阻和接触压降，使大电流参数测试更加精确。系统采用低占空比（2%）
300 uS脉冲测试，符合国军标要求，有效抑制了由于测试功率导致的器件温升及测试误差。系统还采用了共基极硬件闭环，恒定及
补偿发射级电流的独特线路来精确稳定被测器件的工作点，较好解决了HFE参数测试自激振荡的问题，使系统具有良好的测试适应
性。
系统与传统的图示仪相比，所有参数的测试可一次完成，并可自动保存和打印测试数据，大幅度提高了测试效率和测量精度， 是半导体分立器件测试的理想设备。系统己被航天、航空、兵器、船舶、核工业、信息产业等军、民品领域的科研院所和企业广泛
应用，同时也被我国半导体分立器件国军标生产线确定为指定检测设备。
| 半导体三极管（NPN和PNP） |
| BVCBO, BVCEO, BVEBO, ICBO, ICEO, IEBO, VCES, VBES, HFE |
| 半导体二极管（整流管、检波管、开关管、稳压管） |
| VR, IR, VF, VZ, RZ |
| 结型场效应管（耗尽型） |
| BVGS, BVDS, IDSS, IGSS, VP, gm |
| MOS场效应管（增强型） |
| VGS(th), ID(on), RDS(on), VDS(on), gfs, BVDSS, IDSS, IGSSF, IGSSR |
| 光电耦合器 （单光耦、双光耦、四光耦） |
| VCES, ICEO, BVCEO, VF, IR, VR, ctr |
| 可控硅 |
| IGT, VGT, VT, IDO, IDS, IH |
| 内 容 |
量 程 |
分辨力 |
精确度 |
| 恒定电压 |
±10 V |
5 mV |
±(0.25% setting +4LSB) |
| 电压测量 |
±10 V,±5 V,±2 V,±1 V |
0.25 mV |
±(0.25% reading+4LSB) |
| 恒定电流 |
±40 A, …, ±40 uA（7档） |
20 nA |
±(0.25% setting+5LSB) |
| 电流测量 |
±40 A, …, ±40 uA（7档） |
10 nA |
±(0.25% reading+5LSB) |
| 内 容 |
量 程 |
分辨力 |
精确度 |
| 恒定电压 |
10 V, 20 V, 50 V, 100 V, 200 V, 500 V |
2.5 mV |
±(0.5% setting +4LSB) |
| 电压测量 |
10 V, 20 V, 50 V, 100 V, 200 V, 500 V |
2.5 mV |
±(0.5% reading+4LSB) |
| 恒定电流 |
±40 mA, …, ±4 uA（5档） |
2 nA |
±(0.25% setting+5LSB) |
| 电流测量 |
±40 mA, …, ±4 uA（5档） |
2 nA |
±(0.25% reading+5LSB) | | | |
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